説明
用途
磁場をかけながらの熱処置
- 静磁場中熱処置（任意角度の磁場印加が可能）
- 回転磁場中熱処置
スペック・付属品等
| 装置の基本仕様 | ・最高温度：500℃ ・最大磁場：0.3T（テスラ） ・雰囲気： ①真空（10-4Pa台） ②ガス置換（ガス種は要相談） |
| 磁場の方向制御仕様 | ・回転速度：10～30rpm ・静止角度精度：±0.5°（任意角度） ・動作モード： 熱処理中に回転／静止の切替えが可能（プログラム制御） |
| その他 | ・サンプルホルダ形状：□26mm－t1mmの基板が５枚セット可能な溝挿入式 ・温度均一度： 試料領域で±５℃以内 ・磁場均一度：試料領域で±５%以内 |
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